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国产光刻机能实现多少nm工艺制程？
光刻,华为,芯片国产光刻机能实现多少nm工艺制程？
发布时间：2016-12-08加入收藏来源：互联网点击：
台积电并未完全拒绝华为
美国这一次来势汹汹准备权利绞杀华为，在政策方面更是堪称“绝户计”为的就是重挫华为。作为产品的最核心部件芯片制造方面华为虽然取得了相当程度的自主研发，但是想要生产芯片还是不得不依靠台积电的代工。目前对于华为来说还是有好消息的，那就是台积电并没有断绝华为的供应同时接到了华为7亿美元的大单，只不过在最终美国的政令生效之前华为能够拿到多少的芯片就看台积电了。
那么如果台积电全面倒向美国的话，华为该怎么办？这个时候就是我们的主人公中芯国际的表演了。虽说中芯国际在芯片制造方面相较台积电还有不少落后，但是对于华为来说还是可以一解燃眉之急的。
中芯国际1月份量产14nm芯片
在之前1月份报道当中中芯国际也是宣布了自己有能力量产14nm的芯片，就现在的手机芯片来说最顶尖的是以7nm为主，而在台积电正在生产线上的芯片则是来自两家华为与苹果的5nm芯片。很多人都在想，你中芯国际也不过是14nm，后面给华为代工到底行不行。
现在的情况是7nm可以努力但是整体的良品率不够高，还达不到大规模量产的程度，但是想要达到5nm的水平还需要看台积电给不给华为足够的备货时间加足马力生产了。
目前台积电关于5nm的芯片客户就两家华为和苹果，如果台积电加足马力给华为留出一个月到两个月的满负荷生产，那么华为在未来一到两年内都是有充足的芯片使用的。不然的话只能依靠中芯国际的努力了，总体的差距还是有的。
回答于 2019-09-11 08:43:50
目前是中芯国际的14nm。
回答于 2019-09-11 08:43:50
90nm，中芯国际的14nm是使用的荷兰ASML的光刻机，除了荷兰ASML以外，全世界包括中国美国日本在内，都卡在45nm的节点上！
中国芯片产业链”：
【上游半导体设备】
1、刻蚀机：北方华创、中微公司
2、光刻机：上微集团、华卓清科
3、PVD：北方华创
4、CVD：北方华创、中微公司、沈阳拓荆
5、离子注入：中科信、万业企业
6、炉管设备：北方华创、晶盛机电
7、检测设备：精测电子、华峰测控、长川科技
8、清洗机：北方华创、至纯科技、盛美半导体
9、其他设备：芯源微、大族激光、锐科激光
【上游半导体材料】
1、大硅片：沪硅产业、中环股份
2、靶材：江丰电子、阿石创、隆华科技、有研新材
3、高纯试剂：上海新阳、江化微、晶瑞股份、巨化股份
4、特种气体：雅克科技、华特气体、南大光电
5、抛光材料：安集科技、鼎龙股份
6、光刻胶：南大光电、飞凯材料、容大感光、晶瑞股份
7、其他材料：神工光伏、菲利华、石英股份
【中游代工】华虹半导体、粤芯半导体、华润微电子
【下游封测】长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技、深科技
【下游设计】
1、CPU：中科曙光、澜起科技、中国长城
2、GPU：景嘉微
3、FPGA：紫光国微、上海复旦
4、指纹识别：汇顶科技、兆易创新
5、摄像头芯片：韦尔股份、格科微、汇顶科技
6、存储芯片：兆易创新、国科微、北京君正
7、射频芯片：卓胜微、三安光电、紫光展瑞
8、数字芯片：晶晨股份、乐鑫科技、瑞芯微、全志科技
9、模拟芯片：圣邦股份、韦尔股份、汇顶科技、
10、功率芯片：斯达半导、士兰微、捷捷微电、晶丰明源
回答于 2019-09-11 08:43:50
国产光刻机量产机型可实现90nm制程工艺，但是近期传来好消息今年年将下线28nm节点浸没式光刻机，同时该光刻机通过多重曝光可生产11nm制程芯片，如果更换精度更高的套件可生产制程更高的芯片。
最先进量产机型为90nm制程，只能用于低端领域代工
目前国内生产光刻机的厂商很多，但最先进的上海微电子，能量产90nm光刻机，具体型号为 SSA600/20，属于IC前道光刻机，可用于8寸线或12寸线生产线的大规模生产。量产机型从技术角度上来说只是低端光刻机，远不如荷兰ASML光刻机，即便是日系厂商尼康、佳能的光刻机也比我们强。
这样的光刻机现阶段只能用于一些对制程要求不高的芯片生产，如果想供货给中芯等代工厂生产制程先进的芯片是不行的，即便是麒麟710A这样的低端手机芯片也无法生产。
年末将下线28nm浸没式光刻机，最高可实现7nm制程芯片生产
在十三五规划中有一项科技领域的标志性项目，也就是研制28nm节点浸没式光刻机并产业化，这个项目由上海微电子承担，而今年是十三五规划的最后一年，这就意味着到今年年底我国光刻机水平将再上一个台阶，虽然和ASML有差距，如果至少可以达到中等水平。
目前业内已经有传出消息，这台最新光刻机具体型号为SSA/800-10W，年末基本可以没悬念的正式下线。该光刻机采用ArF光源，使用1.9nm套刻精度的工件台通过多重曝光可实现11nm制程，如果是更高的1.7nm套刻精度最高可实现7nm制程。
结合2019年末上海微电子公开的最新前道光刻机外观设计专利，基本上可以认为该消息靠谱。
当然下线并不代表量产，后续还得看稳定性和良品率，正式量产肯定还得有段时间，预估最快也得2021年，晚的话不排除到2022年。
努力追赶荷兰ASML，国产EUV光刻机正在研发中
28nm浸没式光刻机可以让我们通过多重曝光实现最高7nm制程的工艺，但这和荷兰ASML最先进的光刻机相比差距不小，人家的EUV光刻机以不需要通过多重曝光就能直接生产7nm，乃至5nm、3nm制程的芯片。
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