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中芯N+1与ASML光刻机到底有何区别？
光刻,中芯国际,芯片中芯N+1与ASML光刻机到底有何区别？
发布时间：2016-12-08加入收藏来源：互联网点击：
中芯国际的问题已经不是光刻机能解决的。台积电没有ASML光刻机一样研制出5nm制程芯片。中芯的短板还是在研发，虽然14nm已经开始量产，但是良率太低。N+1和N+2研发进度太慢。虽然梁孟松能解决14nm制程问题，但他没有10nm及以下制程的研发经验。另外研发出来良率问题也是一个，要知道中芯在2015年28nm制程就研发出来了，但是真正量产是在2019年。14nm试量产良率不佳。估计要到今年底才能成熟。未来两年不可能达到7nm及以下制程。华为如果想量产7nm及以下制程芯片需要自己更大力度参与进去。凭借华为的狼性文化以及高薪资高号召力，相信一年应该不成问题。
回答于 2019-09-11 08:43:50
一、中芯的N+1是指芯片制造达到的节点技术
关于N+1，指的是中芯国际的芯片节点技术，去年中芯国际量产了14nm的芯片，而下一代芯片被称之为N+1，有人说这个技术和台积电的7nm工艺差不多。
因为根据中芯国际的说法，下一代工艺是N+1工艺，没有说具体的节点，只是称14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%，而这就是台积电7nm的芯片指标。
二、ASML光刻机是用来制造芯片的设备
那么ASML的光刻机是什么，光刻机是芯片制造过程中不可缺少的一种设备，并且光刻机非常重要，因为光刻部分占了芯片制造部分的60%左右的工时。
可见所谓的N+1和ASML的光刻机根本就是两码事。但它们是有关联的，那就是目前国内生产了7nm芯片制造的光刻机，甚至全球也只有ASML能够生产制造7nm芯片的光刻机，所以中芯国际的N+1是依赖ASML的。
这两是两者的区别和联系，看似完全风马牛不相及的两个事情，但却是紧密联系在一起的。
回答于 2019-09-11 08:43:50
先说下中芯的N+1是内部代号，并不是7nm工艺已接近7nm工艺。ASML是生产EUV的光刻机厂商。中芯的N+1并未使用EUV光刻工艺，因为ASML的新设备还没有拿到。
中芯国际N+1
之前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。
外界认为中芯国际的N+1代工艺相当于台积电的7nm工艺，不过中芯国际随后澄清说，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。
N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于，N+1工艺的性能只提升了20%，但市场基准性能提升是35%，“中芯国际的N+1工艺面向低功耗应用领域”。N+1之后还会有N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于 性能及成本，N+2显然是面向高性能的，成本也会增加。
ASML光刻机
至于备受关注的EUV光刻机，梁孟松表示在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2之后的工艺才会转向EUV光刻工艺。
2018年5月，中芯国际曾向荷兰阿斯麦尔（ASML）订购了一台最新型的EUV光刻机，价值高达1.5亿美元。在全球光刻机生产厂商中，荷兰的ASML（阿斯麦）是唯一一家能够生产EUV光刻机的厂商。EUV光刻机原计划在2019年初交付。不过，由于美国方面阻扰，这项交易至今仍未完成。
回答于 2019-09-11 08:43:50
一个是自己家的想怎么用就怎么用，另一个是人家的想用还得别人愿意
回答于 2019-09-11 08:43:50
这个芯片加工问题，不能跟在台积电及三星后面模仿及追赶，得出奇制胜。
现在的主要新闻是碳基芯片及光子芯片，更快的速度，更低的能耗。
硅基芯片已经无限接近极限了，一纳米左右是硅基芯片的精度极限，发展潜力有限了。
从发展潜力的角度看，光子芯片及碳基芯片都优于硅基芯片。
从性能过剩的角度看，普通人的手机CPU的性能大多数是过剩了，不赶时髦，不图虚荣，CPU是十几纳米及二十几纳米的手机都足够用了。手机就是用来浪费钱的，就是用来给手机厂商及销售商做贡献的！
回答于 2019-09-11 08:43:50
愿华为改变手机，发展云手机，做个空白手机，云服务，语音控制，戴在手上，像科幻片那样空中投屏，什么狗屁芯片，统统看如粪土！传统芯片反正都要淘汰，到了1nm看你怎么发展？中国量子世界第一，量子芯片崛起！
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