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中芯N+1与ASML光刻机到底有何区别？

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发布时间：2016-12-08加入收藏来源：互联网点击：

问题补充： 各自的优缺点是什么？

回答于 2019-09-11 08:43:50

回答于 2019-09-11 08:43:50

中芯国际的N+1跟ASML光刻机有什么区别？首先我必须指出这个问题逻辑不对，因为中芯国际的N+1的工艺也是要由ASML的光刻机来完成的，我估计题主的意思应该是中芯国际N+1制程工艺跟EUV光刻机的7nm工艺制程有什么区别吧，这样我详细说下中芯国际N+1的制程工艺究竟是怎么样的。

中芯国际N+1

首先要说明的是中芯国际的N+1是相比较14nm而言，也就是说性能的提升跟面积的减少都是以14nm为基准。

在2019年的第4季度，中芯国际就宣布攻克N+1的制程工艺，而中芯国际方面表示N+1与中芯国际14纳米制程比较，效能增加20%、功耗减少57%、逻辑面积减少63%、SoC 面积减少55%，但是在性能方面只提升20%，而真正的7nm的制程工艺性能方面是要提升30%，因此外界普遍认为中心国际N+1就是7nm的制程工艺其实错误的，中心国际的N+1应该是介意10nm至7nm之间才对，所以中芯国际对外表示不是7nm工艺，而是采用N+1来命名。

中芯国际N+1 VS 7nm

两者有区别吗，答案那肯定是有的：

首先N+1并未达到7nm的水准，所以第一个就是N+1的性能不如7nm。第二按照中芯国际的说法，N+1的成本略低于7nm，大概低10%。中芯国际的N+1采用是多重曝光的技术，多曝光一次，芯片的良率就会低一些，所以比EUV的极紫外光技术的良率要一些。

结语：芯片行业一向是高投入高回报，你别看美国人占据产业链上端，吃专利费，他的利润是建立在全产业上的！只要中国人找到了替代方法，剥离美国人，对方就会陷入利润枯竭，无法研发下一代技术的窘境。华为在5G和通讯技术上的崛起就是走这条路线。如今中芯国际也在重复昨天的故事，我们摆脱控制的过程，就是对方走向衰落的过程。

回答于 2019-09-11 08:43:50

感谢您的阅读！

有了中芯国际的N＋1技术，就没有ASML什么事情了，我们要不要ASML的EUV 7nm都不重要了！这种说法完全忽略了ASML的厉害之处，也错误的估计了中芯国际的N＋1的技术优势！



了解中芯国际的N＋1——

其实，我们也知道作为中国目前少有的芯片代工厂，在之前它就已经非常杰熟练的掌握了14nmFinFET 制程工艺的量产。

可是，你也得知道目前台积电，三星都在5nm工艺制程上胶着了。好在，中芯国际的梁孟松提到了，中芯国际最新研发出了N+1和N+2工艺。

问题来了，因为他的话里提到了，这两种工艺非常接近7nm工艺。有些人就想当然认为这就是中芯国际的7nm工艺。对不起，你想岔了，虽然它的工艺很先进。但是，它的优势主要集中在——

N+1 可在性能提升 20% 的同时降低 57% 的功耗、并将逻辑面积减少了 63% 。

7nm还是7nm

虽然，技术进步了。可是，它还不是7nm工艺制程，它确实在接近7nm工艺，可是你也得知道的是——它和7nm工艺还有一定的距离。

中芯称——“N+1 的目标是低成本应用，与 7nm 相比，其优势在 10% 左右”。

其实，我比较看好的是N+2，还是需要EUV光刻机进行技术支持的。这也说明了，技术确实在进步，但是还是需要ASML的光刻机，才能更有更好的发挥。



未来我们只有突破荷兰光刻机的束缚，才能够真正的走上一条属于我们自己的路。而不是，即使技术发展，还得依赖ASML。

回答于 2019-09-11 08:43:50

中芯国际的N+1是指的是芯片的制程工艺，就像现在所说的14纳米，7纳米，5纳米，甚至3纳米制程的芯片。而阿斯麦公司的光刻机则是制造这些芯片的必备机器，中芯国际的N+1制程工艺的芯片与阿斯麦公司的光刻机根本就不是同一类，也无法放在一起进行比较，更没有什么区别。非要说区别的话，那就是中芯国际的N+1和N+2z制程工艺是用阿斯麦提供的深紫外DUV光刻机制造的。



目前来看，国际上芯片的最小制程为7纳米，2021年和2022年，台积电与三星分别量产5纳米制程的芯片和3纳米制程的芯片。而中芯国际目前已经可以生产14纳米制程的芯片了，与国际先进水平还差一代。为了追上世界发展潮流，中芯国际正在全力研发N+1和N+2制程工艺，其制造出的芯片性能，已经无限接近当今的7纳米制程了。但也只是接近而已，并不是真正的7纳米制程工艺。



据报道称:中芯国际采用N+1制程工艺的芯片相比于14nm制程工艺的芯片来说，其性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积缩小63%，SoC面积缩小55%。的确，中芯国际的N+1和N+2制程的工艺已经非常接近7纳米制程工艺了，但是这是用阿斯麦公司提供的光刻机制造的。因为国产光刻机目前只能量产90纳米制程的芯片。



尽管中芯国际的制程工艺还不如三星和台积电，但是其用14纳米制程的芯片良品率已经从3%上升至95%，达到了量产14纳米制程芯片的水平。也正是因为有了这个水平，才可以接手HW14纳米制程FinFET结构的芯片。由此可知，即便是没有阿斯麦公司出口的极紫外EUV光刻机，量产14纳米制程的芯片也没有什么技术难题。

但是当米国宣布凡是使用米国的设备，技术，专利的公司，向HW提供芯片时，必须要经过米国的同意，否则就对其进行制裁。这样一来，就比较难受了，毕竟阿斯麦的光刻机中，米国提供的部件占了25%，而且还是极为重要的的部件。所以说，中芯国际想要为HW制造QL芯片，就必须经过米国的同意才行，否则面临的就是制裁，有可能发生断供，断维修光刻机的事件。

在这个问题上，中芯国际也是左右为难，所以说发生这一切的根源就是国产光刻机无法达到量产14纳米，7纳米制程芯片的要求。不过，国产光刻机已经实现了22纳米制程的突破，只不过离量产芯片还有一段路要走。据报道称:是采用了365纳米波长的光源，可以用于制造22纳米制程的芯片，经过多次曝光后，可以制造10纳米制程的芯片。

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