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中芯N+1与ASML光刻机到底有何区别？
光刻,中芯国际,芯片中芯N+1与ASML光刻机到底有何区别？
发布时间：2016-12-08加入收藏来源：互联网点击：
总而言之，还是需要等待国产先进光刻机的突破，才可以破解这一局面。
回答于 2019-09-11 08:43:50
去年，中芯国际表示开启基于14nm FinFET制程的量产芯片。同时，也在努力开发下一代主要节点(N+1)，与中芯国际自家的14nm制程相比，N+1可在性能提升20%的同时降低57%的功耗、并将逻辑面积减少了63%。目前N+1是否可达到台积电7nm可能存在一定疑问，应该能接近三星或者台积电10nm工艺。不过可以肯定的是N+1绕开了ASML的EUV光刻机，也可以算是没有光刻机的无奈之举吧。未来若能获得EUV光刻机，中芯可能才会真正达到量产7nm的水准。
回答于 2019-09-11 08:43:50
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中芯N+1与ASML光刻机到底有何区别？
题主问题的核心是中芯国际的N+1和ASML光刻机到底有什么区别？确实对于国人来说，也许是太着急，所以在中芯国际宣布N+1之后就大吹特吹的，我们可以理解这样的心情，但是随后中芯国际确实出来澄清了，N+1是内部代号，并不等于7nm，简单一点来说就是不是真正意义上的7nm。
因为从定位来看，中芯国际的发言人其实之前已经指出来了，重要的是成本低，与ASML可以生产7nm 的光刻机相比，成本要更低，具体在 10% 左右。当然和7nm还是没有办法相比的，要不然中芯国际也不会订购ASML的光刻机，当然现在希望不大，有其他国家在阻挠，还是要时间节点。
再者就是我们知道的现在中芯国际14nm已经相当成熟，所以其实N+1最主要的是相对于14nm的提升，比如性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%，SoC面积缩小55%，以及之后还有N+2系列那个成本就要更高了。
从实际提升的角度来说。虽然和7nm还有差距，不过实际功耗和芯片面积的缩小其实已经和7nm相差不大，主要是性能方面，不如ASML生产的7nm芯片，带来的35%性能提升。
总结：
其实我们知道，华为已经把部分芯片交给了中芯国际，因为虽然手机芯片可能工艺要求较高，但是对于现在工业方面所用芯片来说，14nm其实已经足够，而且中芯国际也在之前表示可以满足国内95%的芯片生产需求。
当然N+1还是不能代替真正的7nm，不过相对来说我们成本更低，功耗和发热，以及面积来说和7nm已经接近，最重要的是性能方面的差距，更加重要的是我们没有通过荷兰或者是其他国家的帮助，就可以生产接近7nm芯片的工艺水准，确实值得我们开心，而N+2工艺，确实让我们更加可期。
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回答于 2019-09-11 08:43:50
中芯国际发展高端芯片离不开ASML的EUV光刻机，但是由于众所周知的原因，至今中芯国际未收到2018年年底预定成功的ASML EUV光刻机。为了提高制程工艺，研发了N+1制程工艺。
什么是N+1？
N+1是与中芯国际的14nm制程工艺对比，效能提升了20%，功耗减少了57%，逻辑面积减少了63%，Soc面积减少了55%。从数据上来看，中芯国际的N+1与目前市面上的7nm相比，指标非常相似，实际功耗和稳定性差不多，唯一区别是性能提升了约20%，而市场基准是35%。
因此，就功率和稳定性而言，可以称为7nm，性能方面可能比7nm差一些。N+1是中芯国际的官方代号，中芯国际也并未说就是7nm节点。
EUV没搞定，7nm怎么办？
中芯国际至今没有收到ASML的EUV光刻机，根据中芯国际的官方声明，EUV对于目前的N+1阶段是不必要的，后续的N+2相比N+1的差异性仅在于成本，性能方面与7nm相比，依然要差一些。
如果中芯国际能够拿到ASML的EUV光刻机，那么对N+2将非常有用，可以用于N+2，同时可以加快推进5nm、3nm工艺的演进，毕竟台积电下半年就会推出5nm制程工艺的芯片。
总之，“巧妇难为无米之炊”，缺少ASML的EUV光刻机，中芯国际虽然研制了N+1、N+2在成本上有所降低，但是性能上没有很大的提升。希望ASML方面能够履行诺言，尽快给中芯国际发货EUV光刻机。
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回答于 2019-09-11 08:43:50
工艺路线不同！中芯N+1是不用光刻机能实现7nm技术。利用目前的193nm波长的光刻机，再辅以浸润求技术，等效于134nm波长，可以实现7nm的精度。当然现在只是小小批量生产，市场反馈还是未知数。随着摩尔定律达到极限，ASML的进步也越来越难的…
回答于 2019-09-11 08:43:50
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