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发布时间：2016-12-08加入收藏来源：互联网点击：

NF-300H设备：国产首台应用于新一代三维闪存芯片(3D NAND)生产线上的叠层薄膜沉积设备，拥有自主知识产权。应用于128层及以上3D NAND闪存芯片的生产。可实现SiO2、SiN(ONON)多层薄膜堆叠结构和Thick TEOS薄膜，在均匀、颗粒度、粗糙度、应力及产能等方面实现技术突破，设备能指标达同类产品水平。

FT-300T设备：ALD反应腔搭载在高产能的PECVD平台上，满足了对设备产能的需求，现已应用于先进的芯片制造、OLED及先进封装(TSV)领域，同时针对14nm以下前道工艺(FEOL)进行研制开发。现可提供具有高质量的PEALD和Thermal ALD，如SiO2、SiN、Al2O3薄膜，并陆续开发金属氧化物及金属氮化物等薄膜工艺。

根据中微公司业绩会及定增公告披露，公司研发布局薄膜市场。

中微公司持有拓荆科技11%股权，是其第三大股东。根据公司定增公告，中微公司CVD研发项目包括HPCVD、导体薄膜LPCVD、ALD、EPI等设备的开发及工艺应用开发。项目由公司副总裁级主管人员牵头主持，其拥有25年以上的半导体从业经验，在主机平台和MOCVD设备上有着丰富的经验。

六、风险提示 ‍

国产替代进展不及预期：半导体设备及材料新技术难度较高，验证周期较长，具有一定的不确定；

全球贸易纷争影响：全球贸易纷争存在不确定，尤其是科技领域竞争激烈，导致科技产业链具有不稳定；

下游需求不确定：全球经济受疫情影响，下游需求存在不确定。

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作者：国盛证券 郑震湘 佘凌星 陈永亮

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