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薄膜,设备,公司matal_马塔拉尼港口
发布时间：2016-12-08加入收藏来源：互联网点击：
装机存量贡献的服务收入具有明显规模优势。作为全球半导体设备龙头，服务（安装、维修、保养等）收入占比达到24%，装机量存量贡献显著。根据公司公告，目前装机量超过4万台机台，在2020年拥有1.4万台机台的服务订阅量（subscription），超过0.4万台连接到应用材料的服务器上。
AMAT 对未来四年半导体装备业务展望乐观。AMAT在2017~2020年的半导体装备平均年收入约101亿美元，公司预期 2021~2024 年的半导体装备平均年收入有望达到165亿美元，营业利润率从32.8%提升至High 30s。这主要归功于领先优势、独特的产品组合、独特的技术结合、加速产品升级，并逐步从提供解决方案中受益。
内生持续推出新品，产品线边界不断增加，布局先后涉足CVD—PVD—CMP— Etch—Inon Implant—Inspection&Metrology、ALE。
1976年，公司推出第一台商用CVD设备；1989年公司成为第一家提供8英寸半导体设备企业；1995年公司推出Mirra CMP设备、RTP Centura设备分别进入CMP、RTP 市场；1997年公司成为第一 家提供12英寸半导体设备企业；2005年公司发布 Centra Advant Edge 系统，实现当时最先进的金属刻蚀，满足铝互连刻蚀要求；2008年，公司推出Endura Extensa PVD系统，满足铜互连要求；2012年公司推出离子注入机；2015年推出ALD，实现原子层沉积；2016年推出电子束检测系统，推出 Applied Producer Selectra系统，实现ALE功能。
持续外延并购补充技术和产品线。
1997年收购Opa technologies和Or bot instrument， 进入过程控制；1998年收购 Consilium；2000收购Etec System进入光罩生产、薄膜晶 体管测试；2001年收购 Oramir，获得激光清洗技术；2006年收购 Applied Films；2008年收购Baccini，开拓意大利市场；2009年收购Semitool Inc.，获得WLP和铜互连技术； 2011年收购 Varian Semiconductor Euipment Associates，重回离子注入。
五、国内龙头：北方华创引领国产沉积，沈阳拓荆开拓 PECVD北方华创是国内领先的半导体高端装备及一体化解决方案供应商。
公司深耕于芯片制造刻蚀领域、薄膜沉积领域近20年，现已成为国内领先的半导体高端工艺装备及一站式解决方案的供应商。
公司立足半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件构成公司四大核心事业集群，客户覆盖中芯国际、华虹、三安光电、京东方等各产业链龙头。
在集成电路领域，北方华创可提供刻蚀机、PVD设备、单片退火设备、ALD设备、氧 化/扩散炉、LPCVD、单片清洗机以及槽式清洗机等产品，覆盖刻蚀、薄膜、扩散、清洗四大工艺模块，为集成电路领域提供先进的工艺解决方案。
北方华创自主研发的面向先进制程的等离子硅刻蚀机、金属刻蚀机、TiN hardmask PVD、Al Pad PVD、ALD、单片退火系统以及SiNx LPCVD等已逐步进入集成电路主流代工厂供应链体系。
引领国产高端集成电路PVD薄膜工艺，公司多项产品进入国际供应链体系。
公司PVD产品布局广泛，近几年陆续推出了TiN PVD、AIN PVD、Al Pad、ALD等 13款自主研发的PVD产品并成功产业化，可应用于集成电路、先进封装、LED等领域。
公司自主设计和生产的exiTin H630 TiN金属硬掩膜PVD系统是国内首台专门针对55-28nm制程12寸金属硬掩膜设备。
2016年，公司28nm/12英寸晶圆生产的TiN Hardmask PVD进入国际供应链体系。2017年公司紧随市场需求，更新设备工艺，推出适用于28-14nm制程的大马士革工艺的exiTin H430 TiN Hardmask PVD系统。
LPCVD设备在半导体薄膜淀积中应用最为广泛，具更低成本及更优能。
该工艺是通过将反应器内进行沉积反应时的操作压力降低的一种CVD反应。和常压的 CVD相比，LPCVD设备有更低的综合成本、更高的产能和更好的薄膜能。北方华创先后推出THEORIS 302 LPCVD、HORIS L6371多功能LPCVD等多个系列产品。
公司产品技术上不断突破，下游导入持续取得新进展：
硬掩板（Had Mask）PVD应用较为广泛。硬掩膜为金属互连线提供精准控制和区域处理：硬掩膜工艺就是采用选定的图像、图形或物体对待处理图像(全部或局部)进行遮挡，来控制图像处理的区域或处理过程，广泛应用于 IC 制备流程的前段(FEOL)和后段工艺(BEOL)。
2015年，北方华创TiN PVD 沉积系统获得海外主流 IC 厂订单，并正式进入国际先进 IC大厂。由北方华创微电子自主设计和生产的exiTin H630 TiN金属硬掩膜物理气相沉积(Metal hardmask PVD)系统是专门针对55-28nm制程12寸金属硬掩膜设备。
铝衬垫（Al Pad）PVD 60-28nm导入客户，更先进制程支持加速验证。
芯片器件用使用Al Pad PVD用于其后道金属互联，提供电子信号、微链接等作用。Al Pad物理气相沉积系统作为集成电路工艺中的一道重要工序，主要应用于Bond pad和Al interconnect工艺。
公司于2015年推出eVictor A830 Al Pad物理气相沉积系统（配置8个工艺模块，可据客户需求多样化配臵）。该设备目前已进入等国内、国外一线厂商，被应用于 90~28nm制程产线，更先进制程正加速验证。2018年北方华创Al Pad PVD成功进驻上海集成电路研发中心。
铜互联（CuBS）PVD已在客户获得放量订单。
金属铜可以降低互连线电阻率，因此铜互联技术被广泛使用。北方华创是02转向“14-7nm CuBS多工艺腔室集成装备研发及产业化”项目执行单位。根据招投标统计，公司铜互联PVD已经实现突破，打破AMAT在该领域的垄断，极大打开公司在 PVD领域的目标市场。
12英寸氮化硅沉积设备导入下游龙头企业。
2020年4月7日，北方华创THEORIS SN302D型12英寸氮化硅沉积设备Move in国内集成电路制造龙头企业。该设备的交付，意味着国产立式LPCVD设备在先进集成电路制造领域的应用拓展上实现重大进展。
12英寸ALD已实现商用。
北方华创自2014年开始布局ALD设备，2017年推出量产型单片ALD设备并首次交付。公司Promi系列ALD设备是用加热的方式，通过在工艺循环周期内分步向真空腔内添加前驱体、实现对膜层厚度的精确控制，可用于沉积Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、TiN、TaN和ALN等多种薄膜。
沈阳拓荆拥有三个完整系列CVD产品线，累计出货量超过100台套。
拓荆科技成立于2010年4月，多次承担国家专项，公司拥有12英寸PECVD（等离子体化学气相沉积设备）、ALD（原子层薄膜沉积设备）、SACVD（次常压化学气相沉积设备）三个完整系列产品。
沈阳拓荆2012年推出12英寸多反应腔PF-300T；2014年获得中芯国际首台量产机台 PF-300T订单；2016年首台ALD出厂到客户端；2017年首台3D Nand PECVD出厂到客户端；2018年12英寸ALD获得客户端14nm工艺验证；2020年公司累计出货量超过100台套。公截止2020年底，公司现有十余名海外专家，员工总数超过320人，累计申请专利超470项。
PF-300T设备：已用于40-28纳米集成电路的生产，具有14纳米及以下技术的延展，可实现所有相关介质薄膜的沉积。同时已延伸至先进膜技术，产品涵盖了高刻蚀选择比的ACHM硬掩膜、低介电常数的绝缘薄膜及NDC刻蚀阻挡层、超低介电常数的ULK薄膜，可满足客户多种技术节点要求。
PF-200T设备：8英寸设备，和国际同类型二手设备相比，具有产能高，维护费用低的优势，还可为客户提供完善的售后及工艺开发等服务。并可升级到12英寸，或实现 8/12英寸相互切换。
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