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与三星相比，SK Hynix的DDR5芯片方案，有哪些不同？

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发布时间：2016-12-08加入收藏来源：互联网点击：

与三星相比，SK Hynix的DDR5芯片方案，有哪些不同？

回答于 2019-09-11 08:43:50

回答于 2019-09-11 08:43:50

尽管 JEDEC 尚未完成 DDR5 最终标准的开发，但芯片大厂之间早就开始了暗自较劲。

在旧金山举办的国际固态电路会议（ISSCC）上，SK Hynix 首次详细介绍了自家基于 DDR5 规范的同步 DRAM 芯片。

作为同样来自韩国的竞争对手，三星在同一会议上描述了基于低功耗 LPDDR5 规范的 DSRAM 作为反击。

与当前已面世的 DDR4 标准对比，DDR5 能够提供双倍的带宽密度，以及更高的通道效率。

原定于去年完成的 DDR5 标准，现仍在持续中，预计相关产品会在今年年底开始出现。

在周三的国际固态电路会议上，海力士芯片设计师 Dongkyun Kim 发表了自家首款 DDR5 芯片的报告。

这是一款 16Gb @ 每引脚 6.4Gbps 的 SDRAM，工作电压 1.1V 。制造节点为 1y 纳米，基于四金属 DRAM 工艺，封装面积 76.22 平方毫米。

Kim 对延迟锁定回路的部分改动进行了深入讲解，表示 Hynix 借助了相位旋转器和注入锁定振荡器，实现了对延迟锁定环（DLL）的修改。以减少在较高时钟速度下，操作相关的时钟抖动和占空比失真。

此外，他还描述了海力士设计团队使用的其它技术，包括用于抵消与更高速度相关的时钟域问题的写入等级训练方法，以及改进的前向反馈均衡（FFE）电路。

与此同时，三星公司描述了一款 10nm 级别的 LPDDR5 SDRAM 。在低至 1.05V 的电压下，它可以达到 7.5 Gb/s 的速率。

JEDEC 在本周早些时候发布了 LPDDR5 标准，最终定下的标准 I/O 运行速率为 6400 MT/s，较 LPDDR4时代提升了 50% 。

如此一来，业界有望大幅提升智能手机、平板电脑、以及超极本等应用场景下的内存速度和效率。

此外，Objective Analysis 首席分析师 Jim Handy 披露了三星 LPDDR5 新品的更多技术细节。