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闪存UFS3.1和闪存UFS3.0仅相差“0.1”,性能上有什么区别?
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发布时间:2016-12-08加入收藏来源:互联网点击:
闪存UFS3.1和闪存UFS3.0仅相差“0.1”,性能上有什么区别?
问题补充: iQOO 3首发的闪存UFS3.1最近很火
回答于 2019-09-11 08:43:50
回答于 2019-09-11 08:43:50
相较UFS3.0,UFS3.1主要加入了三个新特性写入增强器(Write Turbo)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能限制通知(Performance Throttling Notification),同时还发布了可选的配套标准“UFS Host Performance Booster(主机性能增强器)”即UFS HPB。
Write Turbo这个很好理解,就是提高设备的写入速度。有了这个特性,UFS3.1的写入速度提升至700MB/s,而UFS3.0的顺序写入最高为500MB/s。
Deep Sleep则旨在降低设备功耗,它可以让设备进入低功耗状态,确保手机在闲置时更加省电。
性能限制通知则是在当设备过热的时候,通知系统限制读写性能为硬件降温。简单地说,就是手机闪存的温控。
最后的HPB同样非常重要,旨在提升手机的读取性能。这里使用一下realme副总裁王伟对HPB的解释,手机在使用过程中会越用越卡,其中原因之一是越读越慢,这是由文件系统碎片化和器件随机读性能下降导致的。器件的cache缓存能力有限,频繁重载L2P Map表造成性能开销过大。HPB利用手机的RAM来缓存L2P Map表,以提升读性能,尤其是长时间使用后的随机读取能力。一句话,即HPB意在解决手机越用越卡的"老毛病"。
回答于 2019-09-11 08:43:50
最直观的提升首先是写入速度,按照数码闲聊站提供的数据,UFS3.0最高的顺序写入速度是500MB/s,而UFS3.1则可以达到700MB/s。在手机大文件复制、移动和APP安装的时候,速度都能够更快一些。
另外,从外媒报道的资料来看,UFS3.1新增了三个特性,分别是写入增强、深度睡眠和性能限制通知。
写入增强这一块应该不用多说了,值得一提的是深度睡眠,能够有效地降低功耗。5G手机免不了要被诟病的就是功耗增加导致续航不如人意。如果手机能够用上UFS3.1,就相当于多了一份续航保障,能够延长手机的使用时间。
另外一个新特性是性能限制通知,当设备过热的时候,可以通知主机有关性能限制的消息。简单地说,就是可以让设备有更为稳定的性能。如果手机使用的芯片本身有着强悍的性能,但由于发热控制不好,导致手机在过热的时候出现各种令人烦躁的情况,那么这手机的性能就算再怎么好,也不会有多少人喜欢。UFS3.1的这个新特性应该就是为了解决这个问题而新增的。
回答于 2019-09-11 08:43:50
要弄清楚闪UFS3.1和闪存UFS3.0仅相差“0.1”,性能上有哪些区别?
首先我们需要明白的是:什么是UFS?
UFS(英文名:Universal Flash Storage 中文名称:通用闪存存储)是一种设计用于数字相机、智能电话等电子产品使用的闪存存储规范。它的设计目标是发展一套统一的快闪存储卡格式,在提供高数据传输速度和稳定性的同时,也可以减少消费者对于市面上各种存储卡格式的混淆和不同存储卡转接器的使用。
UFS被视作eMMC和SD卡的取代者,它获得了包括诺基亚、索尼移动通信、德州仪器、意法半导体、三星、美光、SK海力士等的支持。
UFS基于小型电脑系统接口(SCSI)结构模型,使用MIPI联盟开发的M-PHY物理层,拥有2.9Gbps~5.8Gbps每线程的速度。UFS实现了一个全双工的LVDS串口,较8个平行线程的eMMC而言拥有更宽的带宽。它相较eMMC最大的不同是并行信号改为了更加先进的串行信号,从而可以迅速提升高频率,同时半双工改为全双工。
UFS的历史进程
2011年,JEDEC固态技术协会(JEDEC)研发了UFS 1.0标准,2012年6月发表了V1.1,2013年9月,发表了UFS2.0标准。2016年3月推出了2.1版本,2018年1月推出了3.0版本,2020年推出了3.1版本。
UFS3.1和UFS3.0的区别
从理论最大带宽来说,两者其实都是23.2Gbps的理论最大带宽,并没有什么变化,这也为一度的被网友误解为“体验不明显”的理论依据。
UFS3.1和UFS3.0的区别主要体现在2个层面,第一个层面就是不同品牌、不同品质颗粒之间的规格差异,在同样UFS2.1传输模式下都会造成速度有区别,它才是木桶的这块短板。闪存实际读写速率远低于外部接口速率,我们早在UFS2.1时代就见识过了,在UFS3.0以及UFS3.1上同样是如此的。另一个层面,则是UFS3.1所引入的新技术造成了新能差异。
新发布的UFS3.1新增了四项新特性,包括三项是强制和一项非强制。这三项中第一个是Write Boost,原理类似SSD的虚拟SLC技术,在这种技术下可以先将TLC虚拟成SLC,也就是在8bit存储空间里只写入2bit数据,这样原本使用8中电压写入变成了只使用2种电压,避免频繁调压造成写入延迟增大,闪存的写入速度也就提升了,之后可以再利用其它空闲时间整理数据,这样一来用户就根本察觉不到。
另外两项则是对硬件起到保护作用的技术,DeepSleep可以让设备进入新升级了的低功耗状态,确保手机在闲置时能更省电。绝大多数时候手机都是闲置的,所以引入这项技术之后可能会让用户感知更直观一些。第三项技术Performance Throttling Notification,它可以在闪存温度过高时通知系统限制读写性能给硬件降温,说通俗一些就是手机闪存终于有了温控了。
Host Performance Booster(HPB)属于非强制性的技术,Realme王伟刚在网上给我们做了简单的科普。当我们存储一个文件的时候,这个文件在逻辑上是完整的,但写入到闪存芯片里却分成了无数块,放在了无数个位置。所以需要一个“逻辑到物理映射表”,也就是L2P Map将他们联系起来按图索骥。
手机数据存储是逐步趋于碎片化的,随着手机使用的越久,L2P Map也会变得越来越大,检索也变得越来越困难,而一般放在主控缓存甚至放在闪存里被调用,这样速度很慢,这是手机越来越慢的原因之一。HPB技术就是把L2P Map读取到内存里,让手机的读取大大提速。而转移到内存后,即时使用了很久,也不会因为L2P Map变复杂导致读取性能明显下降。
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