您现在的位置: 首页 > 网站导航收录 > 百科知识百科知识
8050三极管参数(三极管8050参数)
集电极,基极,发射极8050三极管参数(三极管8050参数)
发布时间：2019-02-08加入收藏来源：互联网点击：
最近很多小伙伴想了解8050三极管参数的一些资讯，今天小编整理了与8050三极管参数相关的信息分享给大家，一起来看看吧。
本文目录一览：
1、三极管8050参数 2、8050三极管参数三极管8050参数
s8050三极管基本参数：
类型：NPN。
集电极耗散功率Pc：0.625W（贴片：0.3W）。
集电极电流Ic：0.5A。
集电极-基极电压Vcbo：40V。
集电极-发射极电压Vceo：25V。
集电极-发射极饱和电压Vce(sat)： 0.6V。
特征频率f： 最小150MHz。
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档。
放大倍数：B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350。
管脚排列顺序：E、B、C或E、C、B。
S8050是一款小功率NPN型硅管，集电极-基极（Vcbo）电压最大可为40V，集电极电流为（Ic）0.5A。S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。
扩展资料
理论原理：
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空进行复合，被复合掉的基区空由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo。
参考资料来源：百度百科-S8050
参考资料来源：百度百科-三极管
8050三极管参数
8050三极管是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。
参数：类型:开关型;极:NPN;材料:硅; 最大集电极电流(A):0.5A;直流电增益:10to60;功耗:625mW;最大集电极-发射极电压(VCEO):25;特征频率:150MHzPE8050 硅 NPN30V1.5A1.1W3DG8050 硅 NPN25V1.5AFT=190*K2SC8050 硅 NPN25V1.5AFT=190*KMC8050 硅 NPN25V700mA200mW150MHzCS8050 硅 NPN25V1.5AFT=190*K对于8050的引脚参数其实很容易判别的。S8050,NPN三极管，平面向上，左到右分别为为EBC极，D8050则是ECB极。
以上就是8050三极管参数的相关信息介绍，希望能对大家有所帮助。
本文到此结束，希望对大家有所帮助呢。